反応性熱 CVD 法による多結晶 Si_<1-X>Ge_X 薄膜の低温たい積と TFT への応用  [in Japanese] Deposition of poly-Si_<1-X>Ge_X thin films at low temperatures by reactive thermal CVD and their TFT application  [in Japanese]

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Author(s)

    • 半那 純一 HANNA Junichi
    • 東京工業大学大学院理工学研究科附属像情報工学研究施設 Imaging Science and Engineering Laboratory, Tokyo Institute of Technology
    • 清水 耕作 SHIMIZU Kousaku
    • 東京工業大学大学院理工学研究科附属像情報工学研究施設 Imaging Science and Engineering Laboratory, Tokyo Institute of Technology
    • 張 建軍 ZHANG Jian-Jun
    • 東京工業大学大学院理工学研究科附属像情報工学研究施設 Imaging Science and Engineering Laboratory, Tokyo Institute of Technology

Journal

  • 應用物理

    應用物理 71(7), 878-882, 2002-07-10

    応用物理学会

References:  10

  • <no title>

    KAMEI T.

    Jpn. J. Appl. Phys. 37, L265, 1998

    Cited by (5)

  • <no title>

    NAGAHARA T.

    Jpn. J. Appl. Phys. 31, 4555, 1992

    Cited by (15)

  • <no title>

    半那純一

    応用物理 65, 382, 1996

    Cited by (2)

  • <no title>

    HANNA J.

    J, Organomet. Chem. 611, 531, 2000

    Cited by (3)

  • <no title>

    YAMAMOTO M.

    Appl. Phys. Lett. 63, 2508, 1993

    Cited by (6)

  • <no title>

    YAMAMOTO M.

    Appl. Phys. Lett. 64, 467, 1994

    Cited by (1)

  • <no title>

    SHIOTA K.

    Jpn. J. Appl. Phys. 36, L989, 1997

    Cited by (2)

  • <no title>

    SHIMIZU K.

    Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 638, F14131, 2001

    Cited by (1)

  • <no title>

    SHIOTA K.

    J. Non-cryst. Solids 227-230, 1074, 1998

    DOI  Cited by (3)

  • <no title>

    MEAKIN D.

    J.Appl.Phys. 61, 5031, 1987

    DOI  Cited by (7)

Cited by:  1

Codes

  • NII Article ID (NAID)
    10008830623
  • NII NACSIS-CAT ID (NCID)
    AN00026679
  • Text Lang
    JPN
  • Article Type
    Journal Article
  • ISSN
    03698009
  • NDL Article ID
    6210771
  • NDL Source Classification
    ZM17(科学技術--科学技術一般--力学・応用力学)
  • NDL Call No.
    Z15-243
  • Data Source
    CJP  CJPref  NDL 
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