エネルギーの有効利用と材料　　目指せ高効率！減らせ消費電力！　　ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの低電圧化，低消費電力化

• 作井 康司

  東芝株式会社セミコンダクター社メモリ事業部

書誌事項

タイトル別名

• Low Voltage and Low Power Design for NAND Flash Memory

収録刊行物

• まてりあ

  まてりあ 41 (2), 90-96, 2002

  公益社団法人 日本金属学会

キーワード

• NAND flash memory
• flash memory
• FN tunneling current
• floating gate
• control gate

詳細情報

• CRID: 1390282679030644864
• NII論文ID: 10008836593
• NII書誌ID: AN10433227
• DOI: 10.2320/materia.41.90
• ISSN: 18845843
• ISSN: 13402625
• Web Site: https://www.jstage.jst.go.jp/article/materia1994/41/2/41_2_90/_pdf
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • Crossref
  • CiNii Articles