選択横方向エピタキシャル成長により形成した GaN 膜中の転位構造 Dislocation Structures in GaN Films Formed by Facet-initiated Epitaxial Lateral Overgrowth

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著者

    • 酒井 朗 SAKAI Akira
    • 名古屋大学大学院工学研究科 Department of Crystaline Materials Science, Graduate School of Engineering, Nagoya University

収録刊行物

  • まてりあ : 日本金属学会会報

    まてりあ : 日本金属学会会報 40(12), 1008, 2001-12-20

    公益社団法人 日本金属学会

参考文献:  2件中 1-2件 を表示

キーワード

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10008847807
  • NII書誌ID(NCID)
    AN10433227
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    REV
  • ISSN
    13402625
  • データ提供元
    CJP書誌  J-STAGE 
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