マイクロ波励起Kr/O_2プラズマによるシリコン酸化膜の低温形成  [in Japanese] Low-temperature formation of silicon oxide films by using microwave-excited Kr/O_2 Plasma.  [in Japanese]

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Author(s)

    • 須川 成利 SUGAWA Shigetoshi
    • 東北大学大学院工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Tohoku University
    • 斉藤 祐司 SAITO Yuji
    • 東北大学大学院工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Tohoku University

Journal

  • 應用物理

    應用物理 69(10), 1200-1204, 2000-10-10

    応用物理学会

References:  14

Codes

  • NII Article ID (NAID)
    10008979188
  • NII NACSIS-CAT ID (NCID)
    AN00026679
  • Text Lang
    JPN
  • Article Type
    REV
  • ISSN
    03698009
  • NDL Article ID
    5497377
  • NDL Source Classification
    ZM17(科学技術--科学技術一般--力学・応用力学)
  • NDL Call No.
    Z15-243
  • Data Source
    CJP  NDL 
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