AlAs選択酸化膜形成技術 AlAs selective oxidation Process
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- 小山 二三夫 KOYAMA Fumio
- 東工大精研 Precision and Intelligence Laboratory, Tokyo lnstitute of Technology
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- 西山 伸彦 NISHIYAMA Nobuhiko
- 東工大精研 Precision and Intelligence Laboratory, Tokyo lnstitute of Technology
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- 荒井 昌和 ARAI Masakazu
- 東工大精研 Precision and Intelligence Laboratory, Tokyo lnstitute of Technology
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- 伊賀 健一 IGA Kenichi
- 東工大精研 Precision and Intelligence Laboratory, Tokyo lnstitute of Technology
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著者
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- 小山 二三夫 KOYAMA Fumio
- 東工大精研 Precision and Intelligence Laboratory, Tokyo lnstitute of Technology
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- 西山 伸彦 NISHIYAMA Nobuhiko
- 東工大精研 Precision and Intelligence Laboratory, Tokyo lnstitute of Technology
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- 荒井 昌和 ARAI Masakazu
- 東工大精研 Precision and Intelligence Laboratory, Tokyo lnstitute of Technology
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- 伊賀 健一 IGA Kenichi
- 東工大精研 Precision and Intelligence Laboratory, Tokyo lnstitute of Technology
収録刊行物
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- 應用物理
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應用物理 69(11), 1339-1340, 2000-11-10
参考文献: 7件中 1-7件 を表示
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TSANG W. T.
Appl.Phys.Lett. 33, 426, 1978
被引用文献2件
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2
- <no title>
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DALLESASSE J. M.
Appl. Phys. Lett. 57, 2844, 1990
被引用文献7件
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3
- <no title>
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ARAI M.
Jpn.J.Appl.Phys. 39, 3468, 2000
被引用文献3件
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4
- <no title>
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AMANO T.
Electron.Lett. 36, 74, 2000
被引用文献5件
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5
- Low threshold half-wave vertical-cavity lasers
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HUFFAKER D. L.
Electron. Lett. 31, 1946, 1994
DOI 被引用文献10件
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6
- <no title>
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OHNOKI N.
Jpn. J. Appl. Phys. 36, 148, 1997
DOI 被引用文献1件
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7
- GaAs/GaA1As系面発光レーザにおけるA1As選択酸化プロセスの改良と単一モード発振特性
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武内 健一郎 , 松谷 晃宏 , 小山 二三夫 , 伊賀 健一
電子情報通信学会論文誌. C, エレクトロニクス 00083(00009), 904-907, 2000-09-25
参考文献4件 被引用文献2件