書誌事項
- タイトル別名
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- ゲンシカンリョク キンセツバ コウガク ケンビキョウ ニ ヨル ニア ゲンシ ブンカイノウ ノ タッセイ
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抄録
<p>ナノメートル領域における物質の光学的性質を計測・制御する次世代の光技術として,近接場光を力として検出するまったく新しい原理に基づく近接場光学顕微鏡を開発した.この顕微鏡では,近接場光の中に半導体探針を挿入し,半導体表面近傍に電子・正孔対を生成させ,その結果生じる半導体探針の表面電位(光起電力)の変化を力として検出する.この方式は,従来の方式で大きな問題となっていた光の伝搬損失や集光損失がほとんどないため,近接場光測定の高感度化・高分解能化に優れた検出方式である.6Åという世界最高の水平空間分解能を実現し,将来的には,物質表面の原子・分子レベルの構造と光学的性質を完全分離して同時測定することができるようになると期待される.</p>
収録刊行物
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- 応用物理
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応用物理 72 (8), 1020-1026, 2003-08-10
公益社団法人 応用物理学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390282752337218688
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- NII論文ID
- 10011629192
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- NII書誌ID
- AN00026679
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- ISSN
- 21882290
- 03698009
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- NDL書誌ID
- 6663019
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDL
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可