極性制御によるBeドープp型GaNの成長

DOI Web Site Web Site 参考文献33件
  • 杉田 茂宣
    早稲田大学理工学部 早稲田大学各務記念材料技術研究所
  • 渡 也寸雅
    早稲田大学理工学部 早稲田大学各務記念材料技術研究所
  • 吉澤 銀河
    早稲田大学理工学部 早稲田大学各務記念材料技術研究所
  • 袖澤 純
    早稲田大学理工学部 早稲田大学各務記念材料技術研究所
  • 山水 大史
    早稲田大学理工学部 早稲田大学各務記念材料技術研究所
  • 堀越 佳治
    早稲田大学理工学部 早稲田大学各務記念材料技術研究所

書誌事項

タイトル別名
  • Growth of Be-doped p-type GaN under Invariant Polarity Conditions
  • キョクセイ セイギョ ニ ヨル Be ドープ pガタ GaN ノ セイチョウ

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抄録

We have successfully grown Be-doped p-type GaN on an Al2O3(0001) substrate by RF-MBE by conserving the surface polarity during growth. It is found that the surface polarity of undoped GaN grown on Al2O3(0001) substrate is N-terminated, but the polarity changes from N to Ga during growth when Be-doping is performed. This polarity change results in extremely high resistivity of the grown layer and the defect level centered at approximately 2.0 eV appears prominently. By using the AlN buffer layer, GaN layer can be grown under the Ga-terminated condition from the beginning. By growing Be-doped GaN on the Ga-terminated GaN, we have successfully grown Be-doped p-type GaN without inducing polarity change. In addition, the optical property of the sample is dramatically improved. We have confirmed that the Be acceptor level is shallower than that of the Mg by approximately 100 meV.

収録刊行物

  • 表面科学

    表面科学 24 (9), 538-542, 2003

    公益社団法人 日本表面科学会

参考文献 (33)*注記

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