希土類添加III-V族半導体による電流注入型発光デバイス

DOI Web Site 被引用文献1件 参考文献21件
  • 藤原 康文
    名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻 現在の所属：大阪大学大学院工学研究科マテリアル科学専攻
  • 小泉 淳
    名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻
  • 竹田 美和
    名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻

書誌事項

タイトル別名
  • Injection‐type light‐emitting devices using rare‐earth‐doped III‐V semiconductors
  • 希土類添加3-5族半導体による電流注入型発光デバイス
  • キドルイ テンカ 3 5ゾク ハンドウタイ ニ ヨル デンリュウ チュウニュウガタ ハッコウ デバイス

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抄録

<p>希土類イオンにおける4f殻内電子遷移はスクリーニング効果により母体の種類に大きく左右されず，各元素に特有の波長で，鋭くかつ温度依存性がきわめて小さい発光スペクトルを示す．このような希土類元素特有の発光特性を半導体を母体として電流注入により実現することはきわめて魅力的である．Er発光中心の単一化が達成されているEr，O共添加GaAsを発光層とする発光ダイオードを有機金属気相エピタキシャル法により作製し，室温において1.54μm領域にEr発光を観測することに成功している．また，発光特性の注入電流密度依存性より従来の報告を大きくしのぐEr励起断面積が得られることを明らかにしている．</p>

収録刊行物

  • 応用物理

    応用物理 73 (2), 224-224, 2004-02-10

    公益社団法人 応用物理学会

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