ワイドギャップ半導体高周波電子デバイス開発への期待

• 名西 穂之

  立命館大学理工学部 経済産業省（NEDO）窒化物半導体高周波デバイスプロジェクトリーダー

収録刊行物

• 応用物理

  応用物理 73 (3), 313-313, 2004-03-10

  公益社団法人 応用物理学会

詳細情報

• CRID: 1390564227310576384
• NII論文ID: 10012702955
• NII書誌ID: AN00026679
• DOI: 10.11470/oubutsu.73.3_313
• ISSN: 21882290
• ISSN: 03698009
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • CiNii Articles