窒化物半導体電子デバイスにおける表面制御

• 橋詰 保

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

書誌事項

タイトル別名

• Surface control and passivation of GaN‐based electron devices
• チッカブツ ハンドウタイ デンシ デバイス ニ オケル ヒョウメン セイギョ

抄録

GaNあるいはAlGaN/GaNヘテロ構造を用いた電界効果トランジスタの研究開発は，最近，特に日本からの寄与によってその進展は著しい．しかし，電流コラプスやゲート漏れ電流など，表面に深く関連する不安定性の問題は未解決であり，その機構の解明と制御が求められている．ここでは，「表面の問題」として漠然と扱われてきたいくつかの現象を整理するとともに，欠陥制御の立場から，電子デバイスの表面不活性化について述べる．

収録刊行物

• 応用物理

  応用物理 73 (3), 333-338, 2004-03-10

  公益社団法人 応用物理学会

キーワード

• gallium nitride
• surface
• interface
• defect
• surface state
• heterostructure
• current collapse
• gate leakage
• surface passivation
• FET

詳細情報

• CRID: 1390001277357155200
• NII論文ID: 10012703074
• NII書誌ID: AN00026679
• DOI: 10.11470/oubutsu.73.3_333
• ISSN: 21882290
• ISSN: 03698009
• NDL書誌ID: 6875140
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I6875140
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可