High-Speed Avalanche Photodiode with a Neutral Absorption Layer for 1.55 μm Wavelength

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抄録

We have developed an InP-based avalanche photodiode (APD) with a p-type neutral absorption layer and refracting-facet (RF) structure. The APD shows a maximum DC response of 0.71 A/W at 1.55 μm wavelength, a low breakdown voltage of 16.9 V, 3 dB down bandwidth of 40 GHz at a gain of 2.3, and a gain-bandwidth product of 140 GHz. This performance demonstrates the superior potential of electron-injection-type APDs compared to hole-injection-type APDs.

収録刊行物

  • Japanese journal of applied physics. Pt. 2, Letters

    Japanese journal of applied physics. Pt. 2, Letters 43(3A), L375-L377, 2004-03-01

    Japan Society of Applied Physics

参考文献:  7件中 1-7件 を表示

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被引用文献:  5件中 1-5件 を表示

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10012705027
  • NII書誌ID(NCID)
    AA10650595
  • 本文言語コード
    EN
  • 資料種別
    SHO
  • ISSN
    0021-4922
  • NDL 記事登録ID
    6879335
  • NDL 雑誌分類
    ZM35(科学技術--物理学)
  • NDL 請求記号
    Z54-J337
  • データ提供元
    CJP書誌  CJP引用  NDL  JSAP 
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