二酸化シリコン薄膜(SiO_2)の電子線照射損傷を定量的に評価する Evaluation of the Extent of Electron Irradiation Damage on SiO_2/Si

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抄録

In order to determine the extent of electron irradiation damage on silicon dioxide quantitatively, a simple method of measuring the decomposition cross section of SiO<Sub>2</Sub>/Si samples from the Si LVV intensity peaks has been proposed. A 100 nm SiO<Sub>2</Sub> film on Si, damaged by the electron irradiation at primary electron energies of 3, 5, 10 and 15 keV was studied. As a result, CDE(critical dose electrons) were able to be determined from the curve fit to Si LVV metallic peaks from the 2-stage exchange equation. The primary electron energy dependence of CDE for SiO<Sub>2</Sub> could be described by Dc(critical dose electrons) ∝ lnEp(primary electron energy).

収録刊行物

  • 表面科学 = Journal of The Surface Science Society of Japan

    表面科学 = Journal of The Surface Science Society of Japan 25(4), 212-216, 2004-04-10

    The Surface Science Society of Japan

参考文献:  8件中 1-8件 を表示

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10012860677
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00334149
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • ISSN
    03885321
  • NDL 記事登録ID
    6919670
  • NDL 雑誌分類
    ZM35(科学技術--物理学)
  • NDL 請求記号
    Z15-379
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  J-STAGE 
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