超高濃度オゾンを用いた低温酸化技術と半導体絶縁膜への応用 Low Temperature Oxidation Process Using Ultra-high Concentration Ozone and Its Application to Insulating Films on Semiconductors

この論文にアクセスする

この論文をさがす

著者

    • 野中 秀彦 NONAKA Hidehiko
    • 産業技術総合研究所 極微プロファイル計測研究ラボ National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)

収録刊行物

  • 真空 = JOURNAL OF THE VACUUM SOCIETY OF JAPAN

    真空 = JOURNAL OF THE VACUUM SOCIETY OF JAPAN 47(5), 364-369, 2004-05-20

    The Vacuum Society of Japan

参考文献:  36件中 1-36件 を表示

  • <no title>

    SZE S. M. editor

    VLSI Technology chap. 3, chap. 5, 1988

    被引用文献1件

  • <no title>

    黒河明

    第43回真空に関する連合講演会講演予稿集 367, 2002

    被引用文献1件

  • <no title>

    尾高憲二

    第43回真空に関する連合講演会講演予稿集 217, 2002

    被引用文献1件

  • <no title>

    NISHIGUCHI T.

    Appl. Phys. Lett. 81, 2190, 2002

    被引用文献8件

  • <no title>

    杉光英俊

    オゾンの基礎と応用, 1996

    被引用文献18件

  • <no title>

    CHASE M. W. Jr

    NIST-JANAF Thermochemical Tables 1717, 1998

    被引用文献1件

  • <no title>

    杉光英俊

    オゾンの基礎と応用 183, 1996

    被引用文献1件

  • <no title>

    理科年表 76, 394, 2003

    被引用文献1件

  • <no title>

    LIDE D. R. editor

    Handbook of Chemistry and Physics, 8-22, 1996

    被引用文献1件

  • <no title>

    OKABE H.

    Photochemistry of Small Molecules 238, 1978

    被引用文献2件

  • <no title>

    鷲尾伸明

    フリーラジカルの反応速度と分光学的および熱力学的パラメーターに関する研究 46, 1985

    被引用文献1件

  • <no title>

    杉光英俊

    オゾンの基礎と応用 173, 1996

    被引用文献1件

  • <no title>

    杉光英俊

    オゾンの基礎と応用 109, 1996

    被引用文献1件

  • <no title>

    NISHIGUCHI T.

    Rev. Sci. Instrum. 73, 1217, 2003

    被引用文献1件

  • <no title>

    NISHIGUCHI T.

    Ext. Abst. of The 2001 International Conference on Rapid Processing for Future Semiconductor Devices (RTP2001)

    被引用文献1件

  • <no title>

    HORI T.

    Gate Dielectrics and MOS ULSIs 156, 1997

    被引用文献1件

  • <no title>

    MASSOUD H. Z.

    J.Electrochem.Soc. 132, 2685, 1985

    被引用文献10件

  • <no title>

    DEAL B. E.

    J. Appl. Phys. 36, 3770, 1965

    被引用文献46件

  • <no title>

    NG K. K.

    Appl. Phys. Lett. 44, 626, 1984

    被引用文献2件

  • <no title>

    KUROKAWA A.

    Characterization and Metrology for ULSI Technology 191, 2001

    被引用文献1件

  • <no title>

    CUI Z.

    J. Appl. Phys. 87, 8181, 2000

    被引用文献4件

  • <no title>

    HIRAYAMA M.

    IEDM Tech. Dig. 249, 1999

    被引用文献3件

  • <no title>

    NAGAMINE N.

    IEDM Tech Dig. 593, 1998

    被引用文献1件

  • <no title>

    HORI T.

    Gate Dielectrics and MOS ULSIs 56, 1997

    被引用文献1件

  • <no title>

    NAKAMURA K.

    Jpn. J. Appl. Phys. 39, L357, 2000

    被引用文献5件

  • <no title>

    HIRAYAMA M.

    IEDM Tech. Dig. 44, 1999

    被引用文献1件

  • <no title>

    HOSOKAWA S.

    Rev. Sci. Instrum. 62, 1614, 1991

    DOI 被引用文献22件

  • <no title>

    ICHIMURA S.

    J.Vac.Sci.& Technol. A9, 2369, 1991

    DOI 被引用文献20件

  • <no title>

    MOON D. W.

    J. Vac. Sci. Techonol. A 17, 150, 1999

    被引用文献4件

  • <no title>

    KOIKE K.

    Rev. Sci. Instrum. 71, 4182, 2000

    被引用文献3件

  • <no title>

    KAZOR A.

    Electronics Lett. 29, 115, 1993

    DOI 被引用文献6件

  • <no title>

    EFTEKHARI G.

    J. Electrochem. Soc. 140, 787, 1993

    被引用文献1件

  • <no title>

    ICHIMURA S.

    Thin Solid Films 377-378, 518, 2000

    被引用文献1件

  • <no title>

    IRENE E. A.

    J. Electrochem. Soc. 125, 1708, 1978

    被引用文献2件

  • <no title>

    CHANANA R. K.

    Appl. Phys. Lett. 77, 2560, 2000

    被引用文献1件

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10013043148
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00119871
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    REV
  • ISSN
    05598516
  • NDL 記事登録ID
    6969152
  • NDL 雑誌分類
    ZN15(科学技術--機械工学・工業--流体機械)
  • NDL 請求記号
    Z16-474
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  J-STAGE 
ページトップへ