半導体SiCの発展と応用物理 Applied physics in development of semiconductor SiC

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収録刊行物

  • 應用物理

    應用物理 73(7), 882-884, 2004-07-10

    応用物理学会

参考文献:  6件中 1-6件 を表示

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    SHIBAHARA K.

    IEEE Electron Device Lett. EDL-7, 692, 1986

    被引用文献5件

  • <no title>

    MATSUNAMI H.

    Mater. Sci. & Eng. R 20, 125, 1997

    被引用文献11件

  • <no title>

    ITOH A.

    IEEE Electron Device Lett. 16, 280, 1995

    被引用文献5件

  • <no title>

    YANO H.

    IEEE Electron Device Lett. 20, 611, 1999

    被引用文献18件

  • <no title>

    KURODA N.

    Ext. Abstr. 34th Spring Meeting of Japan Society Applied Physics and Related Societies, Tokyo, 1987, 1987

    被引用文献3件

  • Hetero-Interface Properties of SiO_2/4H-SiC on Various Crystal Orientations

    MATSUNAMI Hiroyuki , KIMOTO Tsunenobu , YANO Hiroshi

    IEICE transactions on electronics 86(10), 1943-1948, 2003-10-01

    参考文献17件 被引用文献2件

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10013266537
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00026679
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    REV
  • ISSN
    03698009
  • NDL 記事登録ID
    7018258
  • NDL 雑誌分類
    ZM17(科学技術--科学技術一般--力学・応用力学)
  • NDL 請求記号
    Z15-243
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL 
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