大気圧プラズマCVD法によるエピタキシャルSiの低温かつ高速成長 (第1報)-エピタキシャルSi成長条件の検討-

• 森勇藏

収録刊行物

• 精密工学会誌

  精密工学会誌 69 (6), 861-, 2003

詳細情報

• CRID: 1573950399833546752
• NII論文ID: 10013267522
• データソース種別:
  • CiNii Articles