Characteristics of InGaAsP/InGaAs MQW-LD with Asymmetric Separate Confinement Heterostructure

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  • 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 104(156), 13-16, 2004-06-24

参考文献:  13件中 1-13件 を表示

  • <no title>

    CASEY H. C. Jr.

    Appl. Phys. Lett. 44(1), 82-83, 1984

    被引用文献2件

  • <no title>

    SCHLERETH K. H.

    IEEE J. Quantum Electron. 26, 627, 1990

    被引用文献3件

  • <no title>

    BROGERG B.

    J. Appl. Phys. 55, 3376, 1984

    被引用文献2件

  • <no title>

    BENNETT B. R.

    IEEE J.Quantum Electron. 26, 113, 1990

    被引用文献8件

  • <no title>

    ANDREKSON P. A.

    Electron. Lett. 28(2), 171-172, 1992

    被引用文献2件

  • <no title>

    SHTERENGAS L.

    J. Appl. Phys. 88(5), 2211-2214, 2000

    DOI 被引用文献2件

  • <no title>

    SMOWTON P. M.

    IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 3, 491, 1997

    DOI 被引用文献3件

  • <no title>

    TAKEMASA K.

    IEEE Photon. Technol. Lett. 10(4), 495-497, 1998

    DOI 被引用文献3件

  • <no title>

    HAN I. K.

    IEEE Photon. Technol. Lett. 12(3), 251-253, 2000

    DOI 被引用文献2件

  • <no title>

    GARBUZOV D.

    Electron. Lett. 32(18), 1717-1719, 1996

    DOI 被引用文献2件

  • <no title>

    GARBUZOV D. Z.

    Electron. Lett. 33(19), 1635-1636, 1997

    DOI 被引用文献2件

  • <no title>

    SPITZER W. G.

    Phys. Rev. 114(1), 59-63, 1959

    DOI 被引用文献3件

  • <no title>

    SMOWTON P. M.

    Appl. Phys. Lett. 70(18), 2365-2367, 1997

    DOI 被引用文献2件

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10013322980
  • NII書誌ID(NCID)
    AN10013254
  • 本文言語コード
    ENG
  • 資料種別
    ART
  • データ提供元
    CJP書誌 
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