微細めっきバンプの形状因子 Shape Evolution of Microbumps

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抄録

金バンプは,半導体素子とプリント基板上の回路を高密度に接続する材料の一つとして注目されている.本研究では,電気めっき法を用い,パッシべーション膜の段差が金バンプに与える因子について検討した.バンプの形状とパッシべーション膜との関係を実験と電流密度分布のシミュレーションで検討した.

Bumps are high-density connectors between semiconductor devices and print-circuit boards. We have studied the effects of passivation ally layer heights on electrodeposited Au bumps, both experiment and by current density simulation.

収録刊行物

  • 化学工学論文集

    化学工学論文集 29(5), 692-694, 2003-09-20

    The Society of Chemical Engineers, Japan

参考文献:  9件中 1-9件 を表示

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10013411504
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00037234
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    NOT
  • ISSN
    0386216X
  • NDL 記事登録ID
    6715254
  • NDL 雑誌分類
    ZP5(科学技術--化学・化学工業--化学工学)
  • NDL 請求記号
    Z17-725
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  J-STAGE 
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