シリコン上の高周波受動素子技術 RF passive components on Si substrate

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著者

    • 益 一哉 MASU Kazuya
    • 東京工業大学精密工学研究所 Precision and Intelligence Laboratory, Tokyo Institute of Technology

収録刊行物

  • 應用物理

    應用物理 73(9), 1172-1178, 2004-09-10

    応用物理学会

参考文献:  20件中 1-20件 を表示

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    参考文献11件 被引用文献10件

被引用文献:  4件中 1-4件 を表示

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10013536488
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00026679
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    REV
  • ISSN
    03698009
  • NDL 記事登録ID
    7081665
  • NDL 雑誌分類
    ZM17(科学技術--科学技術一般--力学・応用力学)
  • NDL 請求記号
    Z15-243
  • データ提供元
    CJP書誌  CJP引用  NDL 
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