MnドープIII-V化合物半導体の物性 Properties of Mn doped III-V compound semiconductors

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著者

    • 松倉 文礼 MATSUKURA F.
    • 東北大学電気通信研究所・超高密度高速知能システム実験施設 Laboratory for Electronic Intelligent Systems, Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University

収録刊行物

  • 日本応用磁気学会研究会資料

    日本応用磁気学会研究会資料 134, 21-28, 2004-01-29

参考文献:  55件中 1-55件 を表示

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10013768271
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00351217
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • ISSN
    13407562
  • データ提供元
    CJP書誌 
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