Si/SiO_2界面準位による画素内アナログ-デジタル変換4トランジスタCMOS画素回路の提案と試作  [in Japanese] A four-transistor type photosensor with in-pixel analog-to-digital converter using MOS interface-trap charge pumping  [in Japanese]

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Author(s)

    • 上原 昭宏 UEHARA Akihiro
    • 奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科 Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology
    • 香川 景一郎 KAGAWA Keiichiro
    • 奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科 Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology
    • 徳田 崇 [他] TOKUDA Takashi
    • 奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科 Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology
    • 太田 淳 OHTA Jun
    • 奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科 Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology
    • 布下 正宏 NUNOSHITA Masahiro
    • 奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科 Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology

Journal

  • ITE technical report

    ITE technical report 28(58), 1-4, 2004-10-14

    映像情報メディア学会

References:  8

Codes

  • NII Article ID (NAID)
    10014210647
  • NII NACSIS-CAT ID (NCID)
    AN1059086X
  • Text Lang
    JPN
  • Article Type
    ART
  • ISSN
    13426893
  • NDL Article ID
    7198144
  • NDL Source Classification
    ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
  • NDL Call No.
    Z16-1010
  • Data Source
    CJP  NDL 
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