顕微ラマン分光法によるNITRIDE-LEDの微細領域での温度分布解析(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))  [in Japanese] Thermal analysis in nitride-based LED by micro-Raman spectroscopy  [in Japanese]

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Author(s)

    • 三島 俊介 MISHIMA Syunsuke
    • 名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー Faculty of Science and Technology, Meijo University
    • 浅井 利浩 ASAI Toshihiro
    • 名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー Faculty of Science and Technology, Meijo University
    • 本塩 彰 HONSHIO Akira
    • 名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー Faculty of Science and Technology, Meijo University
    • 三宅 泰人 MIYAKE Yasuto
    • 名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー Faculty of Science and Technology, Meijo University
    • 飯田 一喜 IIDA Kazuyoshi
    • 名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー Faculty of Science and Technology, Meijo University
    • 川島 毅士 KAWASHIMA Takeshi
    • 名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー Faculty of Science and Technology, Meijo University
    • 岩谷 素顕 IWAYA Motoaki
    • 名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー Faculty of Science and Technology, Meijo University
    • 上山 智 KAMIYAMA Satoshi
    • 名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー Faculty of Science and Technology, Meijo University
    • 天野 浩 AMANO Hiroshi
    • 名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー Faculty of Science and Technology, Meijo University
    • 赤崎 勇 AKASAKI Isamu
    • 名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー Faculty of Science and Technology, Meijo University

Abstract

本研究では、III族窒化物半導体LED動作時の内部微細領域における温度分布を、顕微ラマン分光法により測定した。その結果、LEDの面内において温度分布が存在することが確認され、LEDのp電極領域が高温であることが確認された。また、本測定の優位な点として、深さ方向に対する測定も可能であり、半導体デバイスの3次元的な熱解析が可能であることが示唆される結果が得られた。

Microscopic temperature distribution in a group III nitrides-LED operated at forward current injection was characterized by Raman spectroscopy. It is found that p-electrode domain of LED shows high temperature. We also found that by changing focal length, depth profile of the temperature can be characterized.

Journal

  • Technical report of IEICE. SDM

    Technical report of IEICE. SDM 105(94), 117-121, 2005-05-20

    The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers

References:  4

Codes

  • NII Article ID (NAID)
    10016151572
  • NII NACSIS-CAT ID (NCID)
    AN10013254
  • Text Lang
    JPN
  • Article Type
    ART
  • ISSN
    09135685
  • NDL Article ID
    7361543
  • NDL Source Classification
    ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
  • NDL Call No.
    Z16-940
  • Data Source
    CJP  NDL  NII-ELS 
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