ポーラスシリカの低誘電率絶縁膜への応用  [in Japanese] Development of Mesoporous Silica Films for Ultra Low-k Interlayer Dielectrics  [in Japanese]

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  • 電気学会研究会資料. EFM, 電子材料研究会

    電気学会研究会資料. EFM, 電子材料研究会 2005(22), 43-46, 2005-06-03

References:  7

Codes

  • NII Article ID (NAID)
    10016470696
  • NII NACSIS-CAT ID (NCID)
    AN10442556
  • Text Lang
    JPN
  • Article Type
    ART
  • Data Source
    CJP 
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