Invited Strain Engineering for SiGe Buffer Layers for High-Mobility Si Channels

• Shigeaki Zaima

• Akira Sakai

• Masaki Ogawa

書誌事項

タイトル別名

• Invited Strain Engineering for SiGe Buffer Layers for High Mobility Si Channels
• 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005)
• センタン デバイス ノ キソ ト オウヨウ ニ カンスル アジアワークショップ AWAD2005

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 105 (154), 5-8, 2005-06-30

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• Epitaxial Growth
• Dislocation
• High Mobility
• Strained-Si

詳細情報

• CRID: 1520009408450676992
• NII論文ID: 10016573887
• NII論文ID: 10016574757
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 7381489
• NDL書誌ID: 7381815
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I7381489
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I7381815
• 本文言語コード: en
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles