シリコン裏面研磨ダメージによるシリコンウエハ表面の少数キャリアライフタイムの低下

• 木下 圭

  住エレ・エスイーゼット(株)

• 佐藤 啓介

  住エレ・エスイーゼット(株)

• 神月 靖

  住エレ・エスイーゼット(株)

• 田中 新吾

  法政大学

• 田村 文男

  法政大学

• 原 徹

  法政大学

書誌事項

タイトル別名

• Minority Carrier Lifetime Measurement of Si Wafers Lapped by the Mechanical Grinding

収録刊行物

• 半導体・集積回路技術シンポジウム講演論文集

  半導体・集積回路技術シンポジウム講演論文集 51 102-107, 1996-12-05

詳細情報

• CRID: 1570572700317079040
• NII論文ID: 10016722245
• NII書誌ID: AN00348438
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • CiNii Articles