フッ素系ガスプラズマRIEを用いたLiNbO₃結晶のマスクを使用しない微細表面加工

• 藤井 隆裕

  同志社大学

• 小俣 輝明

  同志社大学

• 吉門 進三

  同志社大学

書誌事項

タイトル別名

• Fine Surface Processing of LiNbO₃ Crystal Etched without Mask Using Fluorine System Gas Plasma RIE
• フッ素系ガスプラズマRIEを用いたLiNbO3結晶のマスクを使用しない微細表面加工
• フッソケイ ガスプラズマ RIE オ モチイタ LiNbO3 ケッショウ ノ マスク オ シヨウ シナイ ビサイ ヒョウメン カコウ

抄録

Etching characteristic LiNbO₃ single crystal has been investigated using plasma RIE (Reactive Ion Etching) with mixture gases of CF₄/Ar, CF₄/H₂, CF₄/Ar/H₂. The etched surface was evaluated by means of atomic force microscopy. The etched rate for -Z surface of LiNbO₃ single crystal was higher than +Z surface using CF₄/Ar and CF₄/H₂ mixture gases. Possibility of the deep etching at the boundary between -Z surface and +Z surface for partially polarization-reversed LiNbO₃ without mask was investigated. The best condition of the deep etching was obtained by using CF₄/H₂ mixture gas. The value of aspect ratio is approximately 1.0 on this condition.

収録刊行物

• 電気学会論文誌．　Ａ

  電気学会論文誌．　Ａ 126 (8), 830-836, 2006

  一般社団法人 電気学会

キーワード

• LiNbO₃
• プラズマRIE
• エッチング表面
• マスク非使用
• 微細加工

詳細情報

• CRID: 1390282679569555328
• NII論文ID: 10018181547
• NII書誌ID: AN10136312
• DOI: 10.1541/ieejfms.126.830
• ISSN: 13475533
• ISSN: 03854205
• NDL書誌ID: 8053733
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I8053733
• Web Site: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejfms/126/8/126_8_830/_pdf
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • Crossref
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可