Phosphorus Doping to Si Quantum Dots and Its Floating Gate Application

• 牧原 克典

• 川口 恭裕

• 池田 弥央

Bibliographic Information

Other Title

• PドープSi量子ドットのフローティングゲートへの応用
• AWAD2006
• AWAD2006

Journal

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 106 (137), 135-138, 2006-07

  東京 : 電子情報通信学会

Keywords

• Pドーピング
• MOS
• Phosphorous doping

Details

• CRID: 1520009408503448064
• NII Article ID: 110004840446
• NII Article ID: 10018216863
• NII Article ID: 110004813210
• NII Book ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL BIB ID: 8015734
• NDL BIB ID: 8016658
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I8015734
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I8016658
• Text Lang: en
• NDL Source Classification:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• Data Source:
  • NDL
  • CiNii Articles