バルクCMOS向け低閾値電圧・高移動度デュアルメタルゲートトランジスタの開発

• 山口 晋平

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• 田井 香織

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• 平野 智之

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• 安藤 崇志

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• 檜山 進

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• WANG J.

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• 萩本 賢哉

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• 長濱 嘉彦

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• 加藤 孝義

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• 長野 香

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• 山中 真由美

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• 寺内 佐苗

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• 神田 さおり

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• 山本 亮

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• 館下 八州志

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• 田川 幸雄

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• 岩元 勇人

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• 斉藤 正樹

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• 長島 直樹

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• 門村 新吾

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書誌事項

タイトル別名

• High Performance Dual Metal Gate CMOS with High Mobility and Low Threshold Voltage Applicable to Bulk CMOS Technology

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路

  電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路 106 (207), 121-126, 2006-08-10

キーワード

• メタルゲート
• High-k
• Gate-Last プロセス
• (110)基板

詳細情報

• CRID: 1573668925144315520
• NII論文ID: 10018234165
• NII書誌ID: AN10013276
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • CiNii Articles