IGBTとMOSFETのシリコン限界特性とその実現に向けた考察
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- 中川 明夫
- (株)東芝 セミコンダクター社
書誌事項
- タイトル別名
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- Evolution of Silicon Power Devices and Challenges to Material Limit [14]
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収録刊行物
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- 電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会
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電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会 2006 (47), 77-82, 2006-10-24
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1570009750449404544
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- NII論文ID
- 10018312885
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- NII書誌ID
- AN1044178X
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- 本文言語コード
- en
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- データソース種別
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- CiNii Articles