Development of Super Junction MOSFET : Breakthrough of On-resistance Si Limit using Trench Filling Epitaxial Growth

• YAMAUCHI Shoichi

  DENSO CORPORATION

• SHIBATA Takumi

  DENSO CORPORATION

• YAMAGUCHI Hitoshi

  DENSO CORPORATION

• NOGAMI Shoji

  SUMCO CORPORATION

• YAMAOKA Tomonori

  SUMCO CORPORATION

• HATTORI Yoshiyuki

  TOYOTA CENTRAL R&D LABS.,INC.

Bibliographic Information

Other Title

• Siパワーデバイス Super Junction MOSFET 開発 : トレンチ埋込エピタキシャル成長技術による Si-Limit 突破

Journal

• 電気学会研究会資料. EFM, 電子材料研究会

  電気学会研究会資料. EFM, 電子材料研究会 2006 (25), 37-42, 2006-11-28

Keywords

• Power MOSFET
• Super Junction
• Trench filling epitaxial Si growth

Details

• CRID: 1573387450152105088
• NII Article ID: 10018406238
• NII Book ID: AN10442556
• Text Lang: ja
• Data Source:
  • CiNii Articles