GaN on Si パワーデバイスの開発動向

• 後藤 博一

  サンケン電気株式会社

書誌事項

タイトル別名

• Development of GaN on Si Power Devices and Beyond

収録刊行物

• 電気学会研究会資料. EFM, 電子材料研究会

  電気学会研究会資料. EFM, 電子材料研究会 2006 (25), 53-56, 2006-11-28

キーワード

• 窒化ガリウム
• クラック
• AlGaN
• GaNヘテロ構造
• ショットキーバリアダイオード
• 電流コラプス
• 力率改善回路

詳細情報

• CRID: 1573387450151980160
• NII論文ID: 10018406317
• NII書誌ID: AN10442556
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • CiNii Articles