InAlGaN窒化物4元混晶を用いた高出力紫外LEDの開発

• 平山 秀樹

  理研

• 高野 隆好

  理研

• 藤川 紗千恵

  理研

• 大橋 智昭

  埼玉大学

• 谷田部 徹

  埼玉大学

• 鎌田 憲彦

  埼玉大学

• 近藤 行廣

  理研

書誌事項

タイトル別名

• Development of High-Power UV-LEDs using Quaternary InAlGaN

収録刊行物

• 電気学会研究会資料. OQD, 光・量子デバイス研究会

  電気学会研究会資料. OQD, 光・量子デバイス研究会 2006 (37), 5-10, 2006-12-08

キーワード

• InAlGaN4元混晶
• 紫外LED
• In組成変調
• MOCVD
• 内部量子効率

詳細情報

• CRID: 1573668925138149760
• NII論文ID: 10018459460
• NII書誌ID: AN00140211
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • CiNii Articles