高効率・高出力GaN系405nmレーザー

• 蔵本 恭介

  三菱電機 (株) 高周波光デバイス製作所

• 大野 彰仁

  三菱電機 (株) 高周波光デバイス製作所

• 山田 智雄

  三菱電線工業 (株)

• 岡川 広明

  三菱電線工業 (株)

• 川崎 和重

  三菱電機 (株) 高周波光デバイス製作所

書誌事項

タイトル別名

• High-Efficient and High-Power GaN-Based 405 nm Laser Diodes
• コウコウリツ コウシュツリョク GaNケイ 405nm レーザー

抄録

Existence of large internal loss due to indium compositional fluctuation at InGaN well was shown experimentally. By adopting small optical confinement factor in the well layer (Γ_well) to reduce optical absorption, the slope efficiency of the LD was improved from 1.5 W/A to 1.85 W/A (highest recorded). As a result, kink-free operation up to 300 mW at 80°C/CW was achieved.

収録刊行物

• レーザー研究

  レーザー研究 35 (2), 69-72, 2007

  一般社団法人 レーザー学会

キーワード

• GaN
• Laser diode
• Internal loss
• Optical confinement factor

詳細情報

• CRID: 1390001204647924992
• NII論文ID: 10018544453
• NII書誌ID: AN00255326
• DOI: 10.2184/lsj.35.69
• COI: 1:CAS:528:DC%2BD2sXjsFSisLw%3D
• ISSN: 13496603
• ISSN: 03870200
• NDL書誌ID: 8712076
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I8712076
• Web Site: https://www.jstage.jst.go.jp/article/lsj/35/2/35_69/_pdf
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • Crossref
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可