４．３ｍΩｃｍ｀２´，１１００ＶノーマリオフＳｉＣ　ＩＥ‐ＭＯＳＦＥＴ

• 原田 信介

  独立行政法人産業技術総合研究所 パワーエレクトロニクス研究センター

• 岡本 光央

  独立行政法人産業技術総合研究所 パワーエレクトロニクス研究センター

• 八尾 勉

  独立行政法人産業技術総合研究所 パワーエレクトロニクス研究センター

• 福田 憲司

  独立行政法人産業技術総合研究所 パワーエレクトロニクス研究センター

• 荒井 和雄

  独立行政法人産業技術総合研究所 パワーエレクトロニクス研究センター

書誌事項

タイトル別名

• 4.3 m.OMEGA.cm2, 1100 V normally-off IEMOSFET on SiC
• 4.3mΩcm2,1100VノーマリオフSiC IE-MOSFET
• 4 3m オメガ cm2 1100V ノーマリオフ SiC IE MOSFET

抄録

The channel mobility in the SiC MOSFET degrades on the rough surface of the p-well formed by ion implantation. Recently, we have developed a double-epitaxial MOSFET (DEMOSFET), in which the p-well comprises stacked two epitaxially grown p-type layers and n-type region between the p-wells is formed by ion implantation. This device exhibited a low on-resistance of 8.5mΩcm² with a blocking voltage of 600V. In this study, to further improve the performance, we newly developed a device structure named implantation and epitaxial MOSFET (IEMOSFET). In this device, the p-well is formed by selective high-concentration p+ implantation and following low-concentration p-epitaxial growth. Fabricated IEMOSFET with a buried channel exhibited superior characteristics than DEMOSFET. The extremely low specific on-resistance of 4.3mΩcm² was achieved with a blocking voltage of 1100V.

収録刊行物

• 電気学会論文誌Ｄ（産業応用部門誌）

  電気学会論文誌Ｄ（産業応用部門誌） 127 (3), 267-272, 2007

  一般社団法人 電気学会

キーワード

• MOSFET
• SiC
• オン抵抗
• エピタキシャル成長
• DEMOSFET
• IEMOSFET
• ノーマリオフ

詳細情報

• CRID: 1390001204658301568
• NII論文ID: 10018737948
• NII書誌ID: AN10012320
• DOI: 10.1541/ieejias.127.267
• ISSN: 13488163
• ISSN: 09136339
• NDL書誌ID: 8732450
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I8732450
• Web Site: http://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejias/127/3/127_3_267/_pdf
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • Crossref
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可