高抵抗SOI基板を用いたCMOS低雑音増幅器の特性向上

• 小舘 淳一

  NTTマイクロシステムインテグレーション研究所

• 宇賀神 守

  NTTマイクロシステムインテグレーション研究所

• 束原 恒夫

  NTTマイクロシステムインテグレーション研究所

• 道関 隆国

  NTTマイクロシステムインテグレーション研究所

• 佐藤 信彦

  キヤノン株式会社

• 岡部 剛士

  キヤノン株式会社

• 近江 和明

  キヤノン株式会社

• 米原 隆夫

  キヤノン株式会社

書誌事項

タイトル別名

• Gain improvement of a CMOS low noise amplifier by using high-resistivity SOI technology

収録刊行物

• 電気学会研究会資料. ECT, 電子回路研究会

  電気学会研究会資料. ECT, 電子回路研究会 2002 (89), 49-54, 2002-11-14

キーワード

• RFIC
• 低雑音増幅器
• LNA
• CMOS
• SOI
• 高抵抗

詳細情報

• CRID: 1572261550259727872
• NII論文ID: 10018970210
• NII書誌ID: AN10441815
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • CiNii Articles