素子微細化が真性半導体ボディSOI-MOSFETのI_<ON>向上効果に与える影響

• 黄 俐昭

  NECシステムデバイス・基礎研究本部 シリコンシステム研究所

• 武村 久

  NECシステムデバイス・基礎研究本部 シリコンシステム研究所

• 竹内 潔

  NECシステムデバイス・基礎研究本部 シリコンシステム研究所

• 最上 徹

  NECシステムデバイス・基礎研究本部 シリコンシステム研究所

書誌事項

タイトル別名

• The Influence of The Device Miniaturization on The I_<ON> Enhancement in i-body SOI-MOSFET's

収録刊行物

• 電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会

  電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会 2001 (56), 39-46, 2001-03-08

キーワード

• SOI
• MOS
• FET
• 移動度
• ITRS
• ロードマップ

詳細情報

• CRID: 1570291225435600512
• NII論文ID: 10018991843
• NII書誌ID: AN1044178X
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • CiNii Articles