高周波・高速用途向け自己整合構造SiGe HBT/CMOS技術

• 大植 栄司

  (株)日立製作所

• 島本 裕巳

  日立デバイスエンジニアリング(株)

• 小田 克矢

  (株)日立製作所

• 速水 礼子

  (株)日立製作所

• 清田 幸弘

  (株)日立製作所

• 田邊 正倫

  日立デバイスエンジニアリング(株)

• 近藤 将夫

  (株)日立製作所

• 橋本 尚

  (株)日立製作所

• 原田 卓

  (株)日立製作所

• 鷲尾 勝由

  (株)日立製作所

書誌事項

タイトル別名

• A Self-align SiGe HBT/CMOS Technology for High Frequency and High-Speed Application

収録刊行物

• 電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会

  電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会 2001 (44), 1-5, 2001-03-08

キーワード

• SiGe HBT
• SEG最大発振周波数
• ECL
• ゲート遅延時間
• SiGe-BiCMOS

詳細情報

• CRID: 1573387450179815680
• NII論文ID: 10018991924
• NII書誌ID: AN1044178X
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • CiNii Articles