ＢドープＳｉＧｅ選択ＣＶＤ成長により形成された極浅ソース・ドレインと高Ｇｅ比率歪ＳｉＧｅヘテロチャネルを有する高性能ｐＭＯＳＦＥＴ

• 竹廣 忍

  東北大学電気通信研究所

• 櫻庭 政夫

  東北大学電気通信研究所

• 室田 淳一

  東北大学電気通信研究所

• 土屋 敏章

  島根大学総合理工学部

書誌事項

タイトル別名

• High Performance pMOSFETs with High Ge Fraction Strained SiGe-heterostructure-channel and Ultrashallow Source/Drain Formed by Selective B-Doped SiGe CVD
• Bドープ SiGe センタク CVD セイチョウ ニ ヨリ ケイセイ サレタ ゴクセンソース ドレイン ト コウGe ヒリツ ヒズミ SiGe ヘテロチャネル オ ユウスル コウセイノウ pMOSFET

抄録

The improvement of current drivability and short channel effect is very important for ultrasmall MOS devices technology. SiGe-channel pMOSFETs are one of the most promising devices because hole mobility in the SiGe layers is enhanced. In the previous work, it has been reported that Super self-aligned shallow junction electrode (S³E) MOSFETs formed by selective B-doped SiGe CVD are effective for the suppression of short channel effect. In this paper, it is clarified that the (S³E) pMOSFETs with Si_0.65Ge_0.35-channel are realized not only with suppression of punch through due to the ultrashallow B-diffused source/drain but also with enhancement of maximum linear transconductance due to the low parasitic resistance, compared to that with the Si-channel fabricated by the same process conditions.

収録刊行物

• 電気学会論文誌Ｃ（電子・情報・システム部門誌）

  電気学会論文誌Ｃ（電子・情報・システム部門誌） 126 (9), 1079-1082, 2006

  一般社団法人 電気学会

キーワード

• SiGeエピタキシャル成長
• 選択CVD成長
• MOSFET
• 高移動度
• 浅接合
• パンチスルー

詳細情報

• CRID: 1390001204604021504
• NII論文ID: 10019289946
• NII書誌ID: AN10065950
• DOI: 10.1541/ieejeiss.126.1079
• ISSN: 13488155
• ISSN: 03854221
• NDL書誌ID: 8080094
• Web Site: http://id.ndl.go.jp/bib/8080094
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I8080094
• Web Site: http://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejeiss/126/9/126_9_1079/_pdf
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • Crossref
  • CiNii Articles
  • KAKEN
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可