ＳｉＧｅ／ＳｉヘテロＭＯＳＦＥＴにおけるホットキャリアによるヘテロ界面準位の発生

• 土屋 敏章

  島根大学総合理工学部

• 櫻庭 政夫

  東北大学電気通信研究所

• 室田 淳一

  東北大学電気通信研究所

書誌事項

タイトル別名

• Hetero-Interface-Trap Generation due to Hot Carriers in SiGe/Si-Hetero-MOSFETs
• SiGe Si ヘテロ MOSFET ニ オケル ホットキャリア ニ ヨル ヘテロ カイメン ジュンイ ノ ハッセイ

抄録

It is reported for the first time that hot-carrier-induced degradation occurs in a SiGe/Si heterostructure introduced into the channel region of SiGe/Si-hetero-MOSFETs, using a newly established elaborate low-temperature charge pumping (LTCP) technique. Moreover, the hetero-interface trap density generated and the width of the degraded region are estimated from the LTCP characteristics. These results will enable new levels of improvement to the performance and reliability of strained-Si and SiGe devices.

収録刊行物

• 電気学会論文誌Ｃ（電子・情報・システム部門誌）

  電気学会論文誌Ｃ（電子・情報・システム部門誌） 126 (9), 1101-1106, 2006

  一般社団法人 電気学会

キーワード

• MOSFET
• SiGe
• ホットキャリア
• ヘテロ界面準位
• チャージポンピング法

詳細情報

• CRID: 1390001204604037120
• NII論文ID: 10019289991
• NII書誌ID: AN10065950
• DOI: 10.1541/ieejeiss.126.1101
• ISSN: 13488155
• ISSN: 03854221
• NDL書誌ID: 8080298
• Web Site: http://id.ndl.go.jp/bib/8080298
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I8080298
• Web Site: http://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejeiss/126/9/126_9_1101/_pdf
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • Crossref
  • CiNii Articles
  • KAKEN
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可