大気圧プラズマCVD法によるSiの低温・高速エピタキシャル成長

• 安武 潔

  大阪大学大学院 工学研究科 精密科学・応用物理学専攻

• 垣内 弘章

  大阪大学大学院 工学研究科 精密科学・応用物理学専攻

• 大参 宏昌

  大阪大学大学院 工学研究科 精密科学・応用物理学専攻

書誌事項

タイトル別名

• Low-temperature and high-rate growth of epitaxial silicon by atmospheric-pressure plasma chemical vapor deposition
• 最近の展望 大気圧プラズマCVD法によるSiの低温・高速エピタキシャル成長
• サイキン ノ テンボウ タイキアツ プラズマ CVDホウ ニ ヨル Si ノ テイオン コウソク エピタキシャル セイチョウ

抄録

大気圧プラズマを利用した薄膜形成は，低温での高速成長や，真空装置の簡素化が可能であることから，一般に，低コスト成膜法として注目されている．最近この方法により，表面へのイオン損傷のない非常に高品質な膜形成が可能であることが明らかになってきた．ここでは，筆者らが独自に開発した多孔質カーボン電極を用いた大気圧プラズマCVD法を，Siエピタキシャル成長に応用した結果を紹介する．4インチ(001)CZ-Siを基板とし，520〜570°Cにおいて0.22〜0.35μm/minで高速成長したエピタキシャルSiが，用いた基板Si結晶より優れた品質を有していることを示す．

収録刊行物

• 応用物理

  応用物理 76 (9), 1031-1036, 2007-09-10

  公益社団法人 応用物理学会

キーワード

• atmospheric-pressure plasma
• chemical vapor deposition
• epitaxial silicon
• defect-free
• low-temperature growth
• high-rate growth
• minority carrier generation lifetime

詳細情報

• CRID: 1390845702285689984
• NII論文ID: 10019855405
• NII書誌ID: AN00026679
• DOI: 10.11470/oubutsu.76.9_1031
• ISSN: 21882290
• ISSN: 03698009
• NDL書誌ID: 8939749
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I8939749
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • CiNii Articles
  • KAKEN
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可