パルスレーザー堆積法により作製したアルミドープ酸化亜鉛透明導電膜の超薄膜化

• 中村 真貴

  大阪産業大学工学部電子情報通信工学科

• 生田 公洋

  大阪産業大学工学部電子情報通信工学科

• 青木 孝憲

  大阪産業大学工学部電子情報通信工学科

• 鈴木 晶雄

  大阪産業大学工学部電子情報通信工学科

• 松下 辰彦

  大阪産業大学工学部電子情報通信工学科

• 奥田 昌宏

  奥田技術事務所

書誌事項

タイトル別名

• Ultra Thin Al-doped Transparent Conducting Zinc Oxide Films Fabricated by Pulsed Laser Deposition Method
• パルス レーザー タイセキホウ ニ ヨリ サクセイシタ アルミ ドープ サンカ アエン トウメイ ドウデンマク ノ チョウハクマクカ

抄録

  Approximately 20~110 nm-thick Al-doped transparent conducting zinc oxide (AZO) films have been deposited on glass substrates at temperature of 200~300°C by pulse laser deposition (PLD) using ArF excimer laser (λ=193 nm). When fabricated at the substrate temperature of 260°C, 40 nm-thick AZO films showed the lowest resistivity of 2.61×10^-4 Ω•cm.<br>

収録刊行物

• Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　ｔｈｅ　Ｖａｃｕｕｍ　Ｓｏｃｉｅｔｙ　ｏｆ　Ｊａｐａｎ

  Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　ｔｈｅ　Ｖａｃｕｕｍ　Ｓｏｃｉｅｔｙ　ｏｆ　Ｊａｐａｎ 51 (5), 323-325, 2008

  一般社団法人 日本真空学会

キーワード

• Spectroscopy
• Surfaces and Interfaces
• Instrumentation
• General Materials Science

詳細情報

• CRID: 1390001205293725184
• NII論文ID: 10021157473
• NII書誌ID: AA12298652
• DOI: 10.3131/jvsj2.51.323
• BIBCODE: 2008JVSJ...51..323N
• COI: 1:CAS:528:DC%2BD1cXot1SrsLw%3D
• ISSN: 18824749
• ISSN: 18822398
• NDL書誌ID: 9541062
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I9541062
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • Crossref
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可