Si(110)-16×2単一ドメイン表面の作製

  • 山田 洋一
    日本原子力研究開発機構量子ビーム応用研究部門
  • GIRARD Antoine
    日本原子力研究開発機構量子ビーム応用研究部門
  • 朝岡 秀人
    日本原子力研究開発機構量子ビーム応用研究部門
  • 山本 博之
    日本原子力研究開発機構量子ビーム応用研究部門
  • 社本 真一
    日本原子力研究開発機構量子ビーム応用研究部門

書誌事項

タイトル別名
  • Fabrication of Si(110)-16×2 Single-domain Surface
  • Si 110 16 2 タンイツ ドメイン ヒョウメン ノ サクセイ
  • Fabrication of Si(110)-16×2 Single-domain Surface

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抄録

Widely well-defined Si(110)-16×2 single-domain surface has been fabricated utilizing the electromigration of the surface atoms. Tuning the direction of the dc during resistive heating to that of the surface reconstruction row realizes an alignment of the rows in one direction producing a mm-wide single-domain of 16×2 structure. The fabricated single-domain shows number of useful characteristics such as a strong one-dimensionality and the surface homochirality, suggesting various applications.

収録刊行物

  • 表面科学

    表面科学 29 (7), 401-406, 2008

    公益社団法人 日本表面科学会

参考文献 (55)*注記

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