3C-SiC MIS抵抗変化型不揮発性半導体メモリー素子

• 須田 良幸

  東京農工大学大学院 工学府

書誌事項

タイトル別名

• 3C-SiC MIS-structured resistive nonvolatile semiconductor memory
• 3C SiC MIS テイコウ ヘンカガタ フキハツセイ ハンドウタイ メモリー ソシ

抄録

金属/Si酸化層/3C-SiC/Si/金属の構造の3C-SiCを用いた抵抗変化型不揮発性半導体メモリーを提案した．3C-SiCを酸化して形成されるSiO_x（0<x<2）不飽和Si酸化膜の形成に起因した欠陥準位での電子の充放電で，素子が高抵抗状態と低抵抗状態間で遷移する．本メモリーは環境軽負荷材料を主体とした素子で，また，3C-SiCは確実な深い電子捕獲準位の形成など，素子構造と素子動作に重要な役割を担っている．本メモリーはダイオード型と非ダイオード型の二つの電気的特性が得られており，ファームウエアや大容量メモリーとして期待される．

収録刊行物

• 応用物理

  応用物理 77 (9), 1107-1110, 2008-09-10

  公益社団法人 応用物理学会

キーワード

• 3C-SiC
• nonvolatile memory
• resistance random access memory
• ReRAM
• MIS

詳細情報

• CRID: 1390001277358932224
• NII論文ID: 10024192381
• NII書誌ID: AN00026679
• DOI: 10.11470/oubutsu.77.9_1107
• ISSN: 21882290
• ISSN: 03698009
• NDL書誌ID: 9640302
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I9640302
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • CiNii Articles
  • KAKEN
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可