Si基板上のフッ化物系共鳴トンネルダイオード

• 筒井 一生

  東京工業大学大学院 総合理工学研究科

書誌事項

タイトル別名

• Fluoride resonant tunneling diodes fabricated on Si substrate
• Si キバン ジョウ ノ フッカブツケイ キョウメイ トンネルダイオード

抄録

Si基板上に共鳴トンネルダイオード（Resonant Tunneling Diode : RTD）など量子井戸構造を利用したデバイスを実現するため，CaF₂/CdF₂を中心にしたフッ化物ヘテロ系に注目し，そのヘテロエピタキシャル成長技術とRTDの試作を紹介する．この材料系で超薄膜ヘテロ構造を成長するには，CdF₂とSiとが強い化学反応性をもっているため，これの制御が重要となる．CaF₂ とCdF₂，あるいはCaF₂ とMgF₂ の組み合わせによるフッ化物混晶の成長が，この課題の解決策を与え，デバイス特性においてもその有効性が示された．

収録刊行物

• 応用物理

  応用物理 78 (5), 432-436, 2009-05-10

  公益社団法人 応用物理学会

キーワード

• fluoride
• resonant tunneling diode
• quantum well
• calcium
• cadmium
• magnesium
• Si
• pin hole

詳細情報

• CRID: 1390282752335649664
• NII論文ID: 10024751771
• NII書誌ID: AN00026679
• DOI: 10.11470/oubutsu.78.5_432
• ISSN: 21882290
• ISSN: 03698009
• NDL書誌ID: 10296877
• Web Site: http://id.ndl.go.jp/bib/10296877
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I10296877
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • CiNii Articles
  • KAKEN
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可