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- 真島 豊
- 東京工業大学 応用セラミックス研究所
書誌事項
- タイトル別名
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- Development of single-electron devices and molecular devices by highly precise bottom-up processes and scanning probe microscopy
- セイミツ ボトムアップ シュホウ ト ソウサガタ プローブ ケンビキョウ ニ ヨル タンデンシ ブンシ デバイス エ ノ テンカイ
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抄録
<p>ビーカーに浸すだけでナノスケールの構造を精密に制御し,単電子デバイスや分子デバイスを構築するボトムアップエレクトロニクスが注目されている.単電子・分子デバイスをボトムアップ手法で構築すると,トンネル過程を分子構造で制御することができる.われわれは,これまでに分子分解能走査型トンネル顕微鏡の超高真空中でのトンネル過程を利用して,一つのナノ粒子あるいは分子を直接観察して,それらの電子機能を明らかにしてきた.本稿では,溶液系におけるボトムアップ手法と超高真空における走査型トンネル顕微鏡というまったく異なる素子構造における研究がトンネル過程によりつながり,ボトムアップエレクトロニクスへと展開することを紹介する.</p>
収録刊行物
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- 応用物理
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応用物理 78 (9), 882-886, 2009-09-10
公益社団法人 応用物理学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390564227309022336
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- NII論文ID
- 10025088695
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- NII書誌ID
- AN00026679
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- ISSN
- 21882290
- 03698009
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- NDL書誌ID
- 10339239
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDL
- CiNii Articles
- KAKEN
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可