横方向スケーリングによるInP系HEMTの高周波特性向上

• 原 直紀

  富士通株式会社

• 高橋 剛

  富士通株式会社

• 牧山 剛三

  富士通株式会社

• 多木 俊裕

  株式会社富士通研究所

書誌事項

タイトル別名

• Enhancement of High-Frequency Characteristics of InP-Based HEMTs by Lateral Scaling

収録刊行物

• 電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会

  電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会 2008 (36), 31-34, 2008-03-06

キーワード

• InP系HEMT
• スケーリング
• ミリ波応用
• 安定性

詳細情報

• CRID: 1571980075839908736
• NII論文ID: 10025648671
• NII書誌ID: AN1044178X
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • CiNii Articles