SiC-JFET駆動用ゲート回路の開発

• 伊勢 慶一

  岩手大学

• 田仲 泰

  岩手大学

• 高橋 和貴

  岩手大学

• 高木 浩一

  岩手大学

• 和気 正芳

  高エネルギー加速器研究機構

• 岡村 勝也

  高エネルギー加速器研究機構

• 高山 健

  高エネルギー加速器研究機構

• 江 偉華

  長岡技術科学大学

書誌事項

タイトル別名

• Development of Gate Drive Circuit for Silicon Carbide Junction Field-Effect Transistor

収録刊行物

• 電気学会研究会資料. PPT, パルスパワー研究会

  電気学会研究会資料. PPT, パルスパワー研究会 2010 (24), 25-30, 2010-05-14

キーワード

• スイッチング電源
• SiC-JFET
• 誘導加速シンクロトロン

詳細情報

• CRID: 1570854176063451776
• NII論文ID: 10026377013
• NII書誌ID: AA11404459
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • CiNii Articles