銅酸化物高温超伝導体単結晶を用いた抵抗変化メモリのスイッチングメカニズム

• 花田 明紘

  鳥取大学大学院

• 木下 健太郎

  鳥取大学大学院 鳥取大学電子ディスプレイ研究センター

• 松原 勝彦

  鳥取大学大学院

• 福原 貴博

  鳥取大学大学院

• 岸田 悟

  鳥取大学大学院 鳥取大学電子ディスプレイ研究センター

書誌事項

タイトル別名

• Switching Mechanism of Resistive Random Access Memory Using High-Temperature Cuprate Superconductor Bulk Single Crystal
• ドウ サンカブツ コウオン チョウデンドウタイタンケッショウ オ モチイタ テイコウ ヘンカ メモリ ノ スイッチングメカニズム

抄録

We made resistive random access memory (ReRAM) structures of Al/Bi₂Sr₂CaCu₂O_8+δ (Bi-2212) single crystal/Pt and Pt/Bi-2212 single crystal/Pt, and evaluated both their memory characteristics and superconducting properties. The memory effect was confirmed only in the former. Taking advantage of the large anisotropy of a Bi-2212 single crystal, it was clarified that the memory effect occurred at the boundary between Al and Bi-2212. The memory effect was enhanced with decreasing critical temperature by annealing the sample. This showed that the introduction of oxygen vacancies to the Bi-2212 single crystal was required for the development of the memory effect and could be achieved by depositing electrodes with low Gibbs free energies. The model which explains the resistance switching of perovskite-oxide-based-ReRAM was proposed based on the results.

収録刊行物

• 表面科学

  表面科学 32 (7), 428-432, 2011

  公益社団法人 日本表面科学会

キーワード

• ReRAM
• superconductivity
• Bi<Sub>2</Sub>Sr<Sub>2</Sub>CaCu<Sub>2</Sub>O<SUb>8+δ</Sub> (Bi-2212) single crystal
• switching mechanism
• Gibbs free energy

詳細情報

• CRID: 1390282681435041664
• NII論文ID: 10029410977
• NII論文ID: 130004486673
• NII書誌ID: AN00334149
• DOI: 10.1380/jsssj.32.428
• ISSN: 18814743
• ISSN: 03885321
• NDL書誌ID: 11179312
• Web Site: http://id.ndl.go.jp/bib/11179312
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I11179312
• Web Site: http://www.jstage.jst.go.jp/article/jsssj/32/7/32_7_428/_pdf
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • Crossref
  • CiNii Articles
  • KAKEN
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可