SiC表面分解法を利用した絶縁基板上へのグラフェン形成に関する研究

• 北田 祐介

  九州工業大学大学院工学研究院

• 佐々木 悠祐

  九州工業大学大学院工学研究院

• 大久保 雄平

  九州工業大学大学院工学研究院

• 碇 智徳

  宇部工業高等専門学校

• 内藤 正路

  九州工業大学大学院工学研究院

• 中尾 基

  九州工業大学大学院工学研究院

書誌事項

タイトル別名

• Formation of Graphene on the SiO_2 Surfaces by SiC Surface Decomposition Method

収録刊行物

• 表面科学 : hyomen kagaku = Journal of the Surface Science Society of Japan

  表面科学 : hyomen kagaku = Journal of the Surface Science Society of Japan 32 (7), 459-460, 2011-07-10

キーワード

• graphene
• SiC
• SOI
• STM

詳細情報

• CRID: 1570009750063168128
• NII論文ID: 10029411078
• NII書誌ID: AN00334149
• ISSN: 03885321
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • CiNii Articles