放射光光電子分光によるMOSFETゲートスタック構造の界面電子状態解析 Report on JSSRR scientific awards Analysis of interfacial electronic structures in MOSFET gate stacks studied by synchrotron radiation photoemission spectroscopy

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  • 放射光

    放射光 25(2), 126-128, 2012-03-31

    日本放射光学会

参考文献:  21件中 1-21件 を表示

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10030134655
  • NII書誌ID(NCID)
    AN10075706
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    REV
  • ISSN
    09149287
  • NDL 記事登録ID
    023655465
  • NDL 請求記号
    Z15-561
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL 
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