Metal Organic Chemical Vapor Deposition Growth of High Spectral Quality Site-Controlled InAs Quantum Dots Using In situ Patterning

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抄録

We present a promising method for the fabrication of high-quality InAs site-controlled quantum dots (QDs) by combining electron beam lithography with wet chemical etching and metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) in situ patterning. The (100) GaAs substrate is patterned with nanoholes by thermal etching and the dots are directly grown inside. This method should avoid the introduction of the surface defects that occurs usually with standard lithography techniques. The thermal etching time is a new growth parameter used to control the shape and size of the QDs. The optical characterization at low temperatures reveals QDs with a small linewidth down to 63 μeV.

収録刊行物

  • Applied physics express

    Applied physics express 4(11), 112001-112001-3, 2011-11-25

    The Japan Society of Applied Physics

参考文献:  27件中 1-27件 を表示

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10030153300
  • NII書誌ID(NCID)
    AA12295133
  • 本文言語コード
    EN
  • 資料種別
    SHO
  • ISSN
    18820778
  • NDL 記事登録ID
    023321091
  • NDL 請求記号
    Z78-A526
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  JSAP 
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